Renesas выпустила 650-вольтовый GaN-транзистор с двусторонним охлаждением
30 сентября 2026 года Renesas представила GaN-транзистор TP65H020G4PLSGBD на 650 В и 20 мОм в корпусе 8×8 мм. Тепло он отводит с обеих сторон, а площадь корпуса, по данным компании, на 57% меньше, чем у распространённого TOLT. Серийный выпуск запланирован на середину 2027 года.
Факты
- Японская Renesas Electronics 30 сентября 2026 года показала новый силовой транзистор на нитриде галлия (GaN) TP65H020G4PLSGBD. Он рассчитан на 650 В, сопротивление в открытом состоянии — 20 мОм. Корпус PQFN размером 8×8 мм отводит тепло и через верх, и через низ. Компания называет его первым 650-вольтовым GaN-прибором с двусторонним охлаждением. Пока выпускаются только образцы для крупных производителей серверного оборудования, серийное производство намечено на середину 2027 года.
- Транзистор сделан для дата-центров, которые обучают и запускают ИИ и переходят на распределение питания постоянным током 800 В. Его ставят в промежуточные преобразователи, которые понижают 800 В до 48, 12 или 6 В, а также в блоки резервного питания стоек. Сам прибор рассчитан на работу до 700 В. Как в интервью Power Electronics News объяснили в Renesas, 650-вольтовые транзисторы работают на шине 800 В потому, что преобразователь собран из двух последовательных блоков примерно по 400 В.
- Главное здесь — корпус. По данным компании, по сравнению с TOLT размером 10×15 мм он занимает на 57% меньше площади, по высоте около 1 мм против 2,3 мм, а тепловое сопротивление со стороны верха ниже на 10%. Вместо боковых выводов у него контактные площадки снизу, которые паяются на обычных линиях с оптическим контролем. Транзистор относится к типу d-mode: кристалл GaN работает в паре с низковольтным кремниевым MOSFET. Поэтому для управления хватает стандартного кремниевого драйвера, отрицательное напряжение на затворе не нужно, а рабочие частоты достигают мегагерцевого диапазона.
- Renesas проверила новинку на эталонном преобразователе 6 кВт (800 → 48 В). Компания заявляет удельную мощность 2,6 кВт на кубический дюйм (около 159 Вт/см³) и КПД при полной нагрузке на 0,21% выше, чем у такой же платы на транзисторах в корпусе TOLT.
Почему это важно
Этот транзистор не окажется в шуруповёрте или болгарке: он рассчитан на серверные стойки мегаваттного класса. Но класс 650 В — тот же, что стоит на сетевой стороне зарядных устройств и блоков питания, включая компактные GaN-зарядки для аккумуляторов инструмента. Объёмы, корпуса и цены на силовые полупроводники сегодня во многом определяют заказы дата-центров и автопрома. Решения, которые там становятся массовыми, со временем переходят в бытовую и инструментальную электронику. Это мелкий корпус с отводом тепла с двух сторон, управление обычным кремниевым драйвером, работа на высоких частотах с меньшими дросселями и конденсаторами. В итоге зарядка получается меньше и меньше греется при той же мощности.
Ограничения важно назвать прямо. Пока есть только образцы, серия появится не раньше середины 2027 года, цен нет, а все характеристики заявлены производителем. Выигрыш в КПД — доли процента: он заметен в стойке на сотни киловатт, а не в одном зарядном устройстве. Дойдут ли такие корпуса до инструмента и когда — сейчас никто не скажет. Пока это сигнал о том, куда движется силовая электроника, а не повод что-то менять в своём парке.
